Компоненты имс

Катушки индуктивности ИМС (thin film inductor)

Компоненты имс Компоненты имс

Рис. 9.8 Тонкопленочная катушка индуктивности для гибридных ИМС

Наиболее трудновыполнимые элементы ИМС.

Индуктивный эффект — отставание тока от напряжения по фазе.

В качестве индуктивности могут использоваться искусственно созданные схемные элементы (гираторы), реализующие индуктивный эффект (например, транзисторы, работающие в таком режиме, при котором 1К отстает по фазе от напряжения UK на 90°).

Реализуемые таким образом катушки имеют малую индуктивность (микрогенри) и добротность.

Применяются пленочные индуктивности в виде однослойной спирали на плоскости, часто из золота, т.к. оно обладает хорошей проводимостью (индуктивность мкГ/см ).

Т.к. изготовление тонкопленочных индуктивностей связано с трудностями, применяются главным образом дискретные навесные микрокатушки индуктивности.

Резисторы ИМС (thin film resistor)

Резисторы для полупроводниковых ИМС изготавливаются одновременно с созданием эмиттерной и базовой областей транзисторов методом локальной диффузии примеси в область базы или область эмиттера. Диапазон номиналов диффузионных резисторов лежит в пределах от 10 Ом до 50 кОм.

Пленочные резисторы для гибридных ИМС изготавливаются из материалов, обладающих высоким электрическим сопротивлением: хрома, тантала, металлокерамики и др.

Для получения стабильных пленочных сопротивлений толщина пленки берется от 0,01 до 1 мкм.

Компоненты имс Компоненты имс

Рис. 9.9 Тонкопленочные резисторы для гибридных ИМС

Очень тонкие пленки (0,005 мкм) значительно изменяют свои параметры в процессе изготовления и эксплуатации схемы. Кроме того, воздействие воздуха вызывает поверхностное окисление, которое приводит к изменению сопротивления.

В более толстых пленках это окисление сказывается меньше. Однако пленки толщиной более 1 мкм не обеспечивают достаточно прочного сцепления с подложкой.

Величина сопротивления определяется выражением

R =r.l / b.h (9.1)

где р — удельное сопротивление материала;

b — ширина резистивного слоя [см];

h — толщина пленки;

l –длинна пленки

Очевидно, что при одной и той же толщине резистивной пленки можно получать различные сопротивления, отличающиеся друг от друга в десятки раз. Для этого достаточно изменять отношение длины пленки к ее ширине.

Диапазон номиналов пленочных резисторов лежит в пределах от 50 Ом до 10 Мом.

Процессоры , делают так !!!


Добавьте постоянную ссылку в закладки. Вы можете следить за комментариями через RSS-ленту этой статьи.
Комментарии и трекбеки сейчас закрыты.